Transistores

C (pol.): 1100pF. Custo): 510pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 105 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 102A. DI (T=100°C): 19.1A. DI (T=25°C): 27A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. On-resistência Rds On: 0.055 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 670pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: transistor MOSFET com portas de nível lógico. Id(im): 62.4A. DI (T=100°C): 9.8A. DI (T=25°C): 15.6A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Equivalentes: FQD19N10LTM. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 0.074 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 800pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 55 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: transistor MOSFET com portas de nível lógico. Id(im): 96A. DI (T=100°C): 15A. DI (T=25°C): 24A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 30N06L. Pd (dissipação de energia, máx.): 44W. On-resistência Rds On: 0.031 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 2. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 220pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 5.8A. DI (T=25°C): 23.2A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: FQD7N10L. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 0.258 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 17 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 2. DI (T=100°C): 3.67A. Função: Carga baixa do portão. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQP12N60C. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.65 Ohms @ 6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 70 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 280 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2290pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 225W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 140 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1

C (pol.): 345pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 72 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 51.2A. DI (T=100°C): 9.05A. DI (T=25°C): 12.8A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. On-resistência Rds On: 0.142 Ohms. RoHS: sim. Peso: 2.07g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 5 ns. Tecnologia: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 50. Função: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1800pF. Custo): 245pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 290 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 50A. DI (T=100°C): 7.9A. DI (T=25°C): 12.5A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. On-resistência Rds On: 0.33 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 40 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Velocidade de comutação rápida. Tecnologia: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET) . Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1580pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 410 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 52A. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 195W. On-resistência Rds On: 0.39 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 25 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET) . Spec info: Carga de porta baixa (típico 43nC). Proteção GS: NINCS

C (pol.): 850pF. Custo): 310pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 120ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 66A. DI (T=100°C): 11.7A. DI (T=25°C): 16.5A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. On-resistência Rds On: 0.14 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 600pF. Custo): 165pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 78 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 76A. DI (T=100°C): 13.5A. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. On-resistência Rds On: 0.078 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 7.5 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 76A. DI (T=100°C): 12.1A. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 19A. Pd (dissipação de energia, máx.): 139W. On-resistência Rds On: 0.14 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação rápida, td(on)15ns, td(off)135ns. Tecnologia: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET)

C (pol.): 1150pF. Custo): 320pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 132A. DI (T=100°C): 23A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. On-resistência Rds On: 0.04 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 80 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 127W. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 510pF. Custo): 70pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 10.8A. DI (T=100°C): 1.71A. DI (T=25°C): 2.7A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. On-resistência Rds On: 3.9 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1400pF. Custo): 425pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 98 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 174A. DI (T=100°C): 30.8A. DI (T=25°C): 43.5A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 146W. On-resistência Rds On: 0.03 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2500pF. Custo): 520pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 182A. DI (T=100°C): 32.2A. DI (T=25°C): 45.6A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 210W. On-resistência Rds On: 0.033 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 210 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 150V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQP50N06. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 25A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 40 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 130 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1540pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 120W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQP50N06L. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 52.4A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 26.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 50 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 170 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1630pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 121W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 80 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: DMOS, QFET, LOGIC N-Ch. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1

C (pol.): 515pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 18A. DI (T=100°C): 2.6A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. On-resistência Rds On: 2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: transistor de efeito de campo de potência em modo de aprimoramento . Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 15nC, Crss baixo 6,5pF. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1420pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 26.4A. DI (T=100°C): 4.2A. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 167W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 95 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1290pF. Custo): 120pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 650 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 26.4A. DI (T=100°C): 4.2A. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 167W. On-resistência Rds On: 1.57 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 27nC, Crss baixo 10pF. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 3170pF. Custo): 1150pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 300A. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 85A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 175 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: DMOS, QFET® MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 205W. On-resistência Rds On: 1.12 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 900V. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 45nC, Crss baixo 14pF

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 38A. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 9.5A. Idss (máx.): 9.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. On-resistência Rds On: 0.36 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 200V. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 20nC, Crss baixo 40,5pF

C (pol.): 1570pF. Custo): 166pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 420 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 38A. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9.5A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 0.6 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 144 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 44nC, Crss baixo 18pF. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1515pF. Custo): 185pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 90 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 44A. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. On-resistência Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: QFET ® FRFET ® MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 43nC, Crss baixo 20pF. Proteção GS: NINCS