FQD30N06L

FQD30N06L. C (pol.): 800pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 55 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: transistor MOSFET com portas de nível lógico. Id(im): 96A. DI (T=100°C): 15A. DI (T=25°C): 24A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 30N06L. Pd (dissipação de energia, máx.): 44W. On-resistência Rds On: 0.031 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 2. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.