Transistores

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: MOS-N-FET. DI (T=100°C): 1.4A. DI (T=25°C): 2.7A. Idss (máx.): 2.7A. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão Vds(máx.): 200V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Spec info: 0.3us

Custo): 25pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70MHz. Corrente do coletor: 500mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 800mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 7V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-39. Carcaça (padrão JEDEC): TO-39. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N1893. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Frequência de corte ft [MHz]: 70 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Família de componentes: transistor NPN

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: GE. FT: 8 MHz. Função: S-L. Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 5A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V

RoHS: sim. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): 25pF. Custo): 8pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 0.8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-18. Carcaça (padrão JEDEC): TO-18. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N2222A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Família de componentes: transistor NPN . Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Tf(máx.): 60 ns. Tf(min): 60 ns. Carcaça: TO-18 ( TO-206 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-18. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -60...+200°C. Vcbo: 75V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 6V

C (pol.): 30pF. Custo): 8pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 35. Corrente do coletor: 0.8A. Nota: transistor complementar (par) 2N2907A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-18. Carcaça (padrão JEDEC): TO-18. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N2222A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C. Família de componentes: transistor NPN

Unidade de condicionamento: 5000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: Transistor Amplificador. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 35. Corrente do coletor: 0.6A. Marcação na caixa: 2N2222A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 25 ns. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( BULK Pack ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 6V

Resistor B: sim. BE diodo: transistor NPN . Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-18. Custo): TO-18. Diodo CE: montagem através de furo PCB. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 500 MHz. Função: Transistor de comutação. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 0.2A. Ic(pulso): 0.5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.36W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 15 ns. Tf(min): 15 ns. Carcaça: TO-18 ( TO-206 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-18. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -60...+200°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: Transistor de comutação. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 0.6A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 200 ns. Tf(min): 175 ns. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: Transistor de comutação. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 0.6A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-39. Carcaça (padrão JEDEC): TO-39. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N2905A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. Frequência de corte ft [MHz]: 200 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.6W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Família de componentes: Transistor PNP

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: amplificador, transistor de comutação. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 75. Corrente do coletor: 0.6A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 0.6A. Nota: >40. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-18. Carcaça (padrão JEDEC): TO-18. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N2907A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. Frequência de corte ft [MHz]: 200 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C. Família de componentes: Transistor PNP . Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 400mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 100 ns. Tf(min): 30 ns. Carcaça: TO-18 ( TO-206 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-18. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Amplificador VHF

C (pol.): 30pF. Custo): 8pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: Hfe 100. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 75. Corrente do coletor: 0.6A. Ic(pulso): 0.8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92Ammo-Pack. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-39. Carcaça (padrão JEDEC): TO-39. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N3019. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Família de componentes: transistor NPN . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 7V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 7V

Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 60V. Corrente do coletor: 15A. Potência: 115W. Carcaça: TO-3

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2.5 MHz. Função: Amplificador de Áudio Linear e Comutado. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 15A. Número de terminais: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 115W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: tecnologia planar de base epitaxial . Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) MJ2955. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2.5 MHz. Função: Amplificador de Áudio Linear e Comutado. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 15A. Número de terminais: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 115W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: tecnologia planar de base epitaxial . Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) MJ2955. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2.5 MHz. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 15A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 115W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) MJ2955. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N3055G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. Frequência de corte ft [MHz]: 2.5 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 115W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C. Família de componentes: transistor de potência NPN