Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 800V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Spec info: 0.3us. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 500mA, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 50V. Corrente do coletor: 500mA. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 25pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70MHz. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 800mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.3V. Vebo: 7V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-39, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-39. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-39. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N1893. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 70 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-39, 800mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-39. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-39. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N2219A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-18, 600mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-18. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-18. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N2222A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 40V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 30pF. Custo): 8pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 35. Nota: transistor complementar (par) 2N2907A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 6V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-18, 800mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-18. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-18. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N2222A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92 ( BULK Pack ), 40V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( BULK Pack ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Unidade de condicionamento: 5000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: Transistor Amplificador. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 35. Marcação na caixa: 2N2222A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 25 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 40V. Corrente do coletor: 0.2A. Carcaça: TO-18 ( TO-206 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-18. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 500 MHz. Função: Transistor de comutação. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 0.5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.36W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 15 ns. Tf(min): 15 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -60...+200°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 60pF. Custo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Comutação de alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 50. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.2V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 60V, 15A, TO-3. Tensão coletor-emissor VCEO: 60V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Potência: 115W

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2.5 MHz. Função: Amplificador de Áudio Linear e Comutado. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Número de terminais: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 115W. Spec info: transistor complementar (par) MJ2955. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: tecnologia planar de base epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2.5 MHz. Função: Amplificador de Áudio Linear e Comutado. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Número de terminais: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 115W. Spec info: transistor complementar (par) MJ2955. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: tecnologia planar de base epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 15A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N3055G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Frequência de corte ft [MHz]: 2.5 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 115W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 350V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: S/VID. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 30. Número de terminais: 3. Temperatura: +200°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor NPN planar epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 450V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 250V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: S/VID. Data de produção: 2014/06. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 40. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.8 MHz. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 117W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.8 MHz. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 117W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 40V. Corrente do coletor: 30A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.2 MHz. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V, 20A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Corrente do coletor: 20A. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.2 MHz. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.2 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 140V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.2 MHz. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 4 v. Vebo: 7V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 16A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 16A. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N3773G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 140V. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Transistor NPN, TO-92, TO-92, 40V, 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Corrente do coletor: 100mA. RoHS: sim. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Construção de matriz planar epitaxial . Tf(máx.): 75 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 8pF. Custo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: Transistor de comutação. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100