Par de transístores MOSFET N-P

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Quantidade por caixa: 2. Função: Rds-on 0.011 Ohms (Q1), 0.1016 Ohms (Q2). Marcação na caixa: 4502C. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Quantidade por caixa: 2. Função: 0.027R&0.049R (27 & 49m Ohms). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistores MOSFET complementares, canal N e canal P. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Quantidade por caixa: 2. Função: 0.055R&0.019R (55 & 19m Ohms). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistores MOSFET complementares, canal N e canal P. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Quantidade por caixa: 2. Função: 0.028R&0.035R (28 & 35m Ohms). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistores MOSFET complementares, canal N e canal P. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. On-resistência Rds On: 28/35m Ohms. RoHS: sim. Spec info: substituto para MOSFET. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistores MOSFET complementares, canal N e canal P. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SOP-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. On-resistência Rds On: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistores MOSFET complementares, canal N e canal P, SCHOTTKY VDS=30V, IF=3A. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Quantidade por caixa: 2. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de Aprimoramento Complementar FET . Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Spec info: 0.025 Ohms & 0.042 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Quantidade por caixa: 2. Função: Modo de Aprimoramento Complementar FET . Idss: 1...5uA. Nota: IDM 30Ap & 30Ap. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Spec info: 0.024 Ohms & 0.036 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 16.2/4.8 ns. Td(ligado): 6.4 ns. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1.7V

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Quantidade por caixa: 2. Função: Transistor MOSFET, Rds (ON) muito baixo. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Spec info: 0.024 Ohms & 0.048 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Quantidade por caixa: 2. Função: Transistores MOSFET complementares, canal N e canal P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Spec info: 0.024 Ohm & 0.038 Ohm. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Quantidade por caixa: 2. Função: Modo de Aprimoramento Complementar FET . Marcação na caixa: P605. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.8W. RoHS: sim. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Temperatura operacional: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Quantidade por caixa: 2. Função: Modo de Aprimoramento Complementar FET . Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.8W. RoHS: sim. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Temperatura operacional: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Quantidade por caixa: 2. Função: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.050 Ohms (Q2). Marcação na caixa: 4501GM. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Quantidade por caixa: 2. Nota: Rds-on 0.024 Ohms (N), 0.036 Ohms (P). Nota: ID(AV)--N--9A P--8A. Nota: Vdss 30V (N), -30V (P). Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: N&P PowerTrench MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Quantidade por caixa: 2. Função: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Nota: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms. Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: DIP-8. Carcaça: DIP

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Quantidade por caixa: 2. Função: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Spec info: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Quantidade por caixa: 2. Função: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. RoHS: sim. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: *SMD TO-252-4L*. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Quantidade por caixa: 2. Função: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Quantidade por caixa: 4. Função: 2N-ch and 2P-ch POWER MOSFET. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Spec info: Rds-on 0.033 Ohms / 0.055 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Quantidade por caixa: 2. Função: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Nota: Vds 30V & 30V. Nota: Id--8A/30Ap & 6A/20Ap. Nota: Rds-on 0.025 Ohms / 0.040 Ohms. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Modo de aprimoramento DUAL MOSFET (canal N e P) . Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Temperatura operacional: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Quantidade por caixa: 2. Função: td(on) 7&10ns, td(off) 11&18ns. Nota: serigrafia/código SMD KNP. Marcação na caixa: KNP. Número de terminais: 6. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Modo de aprimoramento de par complementar MOSFET. Carcaça: SOT-363 ( SC-88 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-363

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Quantidade por caixa: 2. Função: Rds-on 0.07 Ohms (Q1), 0.125 Ohms (Q2). Nota: serigrafia/código SMD 420. Marcação na caixa: 420. Número de terminais: 6. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: N&P PowerTrench MOSFET. Carcaça: TSOP. Habitação (conforme ficha técnica): SUPERSOT-6

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 2500. Quantidade por caixa: 2. Função: Rds-on 0.042 Ohms (Q1), 0.082 Ohms (Q2). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Spec info: Transistor de canal N (Q1), transistor de canal P (Q2). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: omplementary PowerTrench MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Quantidade por caixa: 2. Função: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. C (pol.): 760pF. Custo): 155pF. Tipo de canal: N-P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 2. Função: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Proteção GS: NINCS. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8