Transistor MOSFET AP4506GEH. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Nota: Vdss 30V (N), -30V (P). Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.1W. Quantidade por caixa: 2. RoHS: sim. Tecnologia: N&P PowerTrench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tipo de canal: N-P. Produto original do fabricante: Advanced Power. Quantidade em estoque atualizada em 13/12/2025, 00:34