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Transistor MOSFET AP4506GEH

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Transistor MOSFET AP4506GEH. Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: N&P PowerTrench MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 4. Nota: ID(AV)--N--9A P--8A. Nota: Rds-on 0.024 Ohms (N), 0.036 Ohms (P). Nota: Vdss 30V (N), -30V (P). Quantidade em estoque atualizada em 19/04/2025, 16:25.

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