Transistor MOSFET AP4525GEH. Carcaça: SO. Função: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Quantidade por caixa: 2. RoHS: sim. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms. Tecnologia: *SMD TO-252-4L*. Tipo de canal: N-P. Produto original do fabricante: Advanced Power. Quantidade em estoque atualizada em 13/12/2025, 00:34