Transistor MOSFET AOP605. Carcaça: DIP. Função: Modo de Aprimoramento Complementar FET. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Marcação na caixa: P605. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.8W. Quantidade por caixa: 2. RoHS: sim. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tipo de canal: N-P. Produto original do fabricante: Alpha & Omega Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 13/12/2025, 00:34