FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 1.4A, 2.7A, 2.7A, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. DI (T=100°C): 1.4A. DI (T=25°C): 2.7A. Idss (máx.): 2.7A. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: MOS-N-FET. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Transistor de canal N, 20mA, TO-92, TO-92. DI (T=25°C): 20mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: JFET. Função: Amplificador VHF/RF. Número de terminais: 3. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Epitaxial. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 9mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (máx.): 9mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 25V. C (pol.): 4.5pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: JFET. Função: Uni sym. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: transistor JFET de uso geral. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 3.5V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 7V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 16mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (máx.): 16mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 25V. C (pol.): 2250pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 53 ns. Tipo de transistor: FET. Função: Uni sym. IDss (min): 4mA. IGF: 10mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 4mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: transistor JFET de uso geral. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 4.5V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 8V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 5mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (máx.): 5mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 25V. C (pol.): 5pF. Custo): 2pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: JFET. IDss (min): 1mA. IGF: 10mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: J-FET. Vgs(th) mín.: 3V. Função: VHF/UHF, amplificador RF

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-46, 20V, 10mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-46. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 20V. Corrente de drenagem Idss [A] @ Ug=0V: 10mA. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N6550. Tensão de ponto de interrupção da porta-fonte Ugss [V] @ Uds=0V: -3V @ +10V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W. Família de componentes: Transistor JFET de canal N. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C

Transistor de canal N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, O-92Ammo-Pack, 60V. DI (T=25°C): 0.2A. Idss (máx.): 1000uA. On-resistência Rds On: 5 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): O-92Ammo-Pack. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 60pF. Custo): 25pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 0.5A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 2n7000. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Peso: 0.18g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 10 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. DI (T=25°C): 0.2A. Idss (máx.): 1000uA. On-resistência Rds On: 5 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 60pF. Custo): 25pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 0.5A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 2n7000. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Peso: 0.18g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 10 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 0.075A, 0.115A, 500uA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. DI (T=100°C): 0.075A. DI (T=25°C): 0.115A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 7.5 Ohms. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 60V. RoHS: sim. C (pol.): 50pF. Custo): 25pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de pequeno sinal. Id(im): 0.8A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 702. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: 702. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 60V, 0.210A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.210A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: K72. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 2.8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 7.6 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 50pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.37W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 0.14A, 0.23A, 500uA, 3.2 Ohms, SOT-363 ( SC-88 ), 60V. DI (T=100°C): 0.14A. DI (T=25°C): 0.23A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 3.2 Ohms. Carcaça: SOT-363 ( SC-88 ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 22pF. Custo): 11pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 2. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 0.8A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: K72. Número de terminais: 6. Pd (dissipação de energia, máx.): 400mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 11 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: Modo de aprimoramento MOSFET . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: Controle de motor, gerenciamento de energia. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 60V, 0.115A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.115A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 72. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.05A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 20 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 50pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 30A, TO-220FP, TO-220D-A1, 300V. Ic(T=100°C): 30A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220D-A1. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. C (pol.): 580pF. Custo): 86pF. Tipo de canal: N. Função: Driver de exibição de plasma. Corrente do coletor: 30A. Ic(pulso): 60.4k Ohms. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 87 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão porta/emissor VGE: 30 v. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.5V. Spec info: High speed hall time--tf=200nS(typ). Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 40A, TO-220FP, TO-220D-A1, 540V. Ic(T=100°C): 40A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220D-A1. Tensão do coletor/emissor Vceo: 540V. C (pol.): 1200pF. Custo): 125pF. Tipo de canal: N. Função: VGE(th) VCE=10V, IC=1mA 3.0V...5.5V. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 230A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 75 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.95V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão porta/emissor VGE: 30 v. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.5V. Spec info: High-speed switching--tf=185ns (typ). Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 20mA, 2.5mA, 2.5mA, TO-92, TO-92, 30 v. DI (T=25°C): 20mA. Idss: 2.5mA. Idss (máx.): 2.5mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: FET. IDss (min): 2.5mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Função: Amplificação de alta frequência

Transistor de canal N, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 300uA. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1400pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 24A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 8.5 ns. Td(ligado): 4 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 300uA. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1400pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 24A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 85 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Low Leakage Current Low Drain Source ON resistance. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 1000V, 8A, 300uA, 1.5 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1B. Tensão Vds(máx.): 1000V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 300uA. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: Silicon N Channel Mos. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 3.5V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.5V. C (pol.): 1300pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 24A. Marcação na caixa: K1120. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Spec info: Aplicação de conversor DC-DC e acionamento de motor. Peso: 4.6g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 2800pF. Custo): 780pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 80A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 32 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 30A, 30A, 0.08 Ohms, 60V. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 30A. On-resistência Rds On: 0.08 Ohms. Tensão Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W

Transistor de canal N, 8A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 600V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 300uA. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1400pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 24A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 85 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: V-MOS-L. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF, 900V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão Vds(máx.): 900V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). C (pol.): 1400pF. Custo): 200pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1000 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Low Driving Power High Speed Switching. Id(im): 23A. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 300 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220, 500V, 5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: K1246. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.4 Ohms @ 2.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 100 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 180 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 650pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 3A, 5A, 100uA, 4 Ohms, TO-3PN 13-16A1A, 1400V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 4 Ohms. Carcaça: TO-3PN 13-16A1A. Tensão Vds(máx.): 1400V. C (pol.): 1800pF. Custo): 500pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta tensão . Id(im): 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 240W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 220 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: transistor MOSFET . Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 3.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 1.5V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 15A, 30A, 30A, 0.028 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=100°C): 15A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 30A. On-resistência Rds On: 0.028 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS. Spec info: compatível com nível lógico