Transistor de canal N 2SK1217, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 1400pF. Custo): 200pF. Diodo Trr (mín.): 1000 ns. Função: Low Driving Power High Speed Switching. IDss (min): 10uA. Id(im): 23A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 300 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Produto original do fabricante: Fuji Electric. Quantidade em estoque atualizada em 14/11/2025, 01:03