Transistor de canal N 2N7000-ONS, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V

Transistor de canal N 2N7000-ONS, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.35€
5-49
0.30€
50-99
0.26€
100-199
0.24€
200+
0.20€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 332

Transistor de canal N 2N7000-ONS, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. DI (T=25°C): 0.2A. Idss (máx.): 1000uA. On-resistência Rds On: 5 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 60pF. Custo): 25pF. IDss (min): 1uA. Id(im): 0.5A. Marcação na caixa: 2n7000. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Peso: 0.18g. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 10 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Produto original do fabricante: Diotec Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:31

2N7000-ONS
27 parâmetros
DI (T=25°C)
0.2A
Idss (máx.)
1000uA
On-resistência Rds On
5 Ohms
Carcaça
TO-92
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92
Tensão Vds(máx.)
60V
C (pol.)
60pF
Custo)
25pF
IDss (min)
1uA
Id(im)
0.5A
Marcação na caixa
2n7000
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.35W
Peso
0.18g
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Td(desligado)
10 ns
Td(ligado)
10 ns
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
3V
Vgs(th) mín.
0.8V
Produto original do fabricante
Diotec Semiconductor

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