Transistor de canal N 2SK1117, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 300uA. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1400pF. Custo): 250pF. Diodo Trr (mín.): 460 ns. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 24A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 8.5 ns. Td(ligado): 4 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:26