Transistor de canal N 2SK1170, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 2800pF. Custo): 780pF. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 80A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. Spec info: High speed switching Low drive current. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 32 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Hitachi. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:26