Transistor de canal N IRFP460, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V

Transistor de canal N IRFP460, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V

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Transistor de canal N IRFP460, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V. Carcaça: TO-247. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 4200pF. Cobrar: 210nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: 20A, 13A. Custo): 870pF. Diodo Trr (mín.): 570 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 80A. Marcação do fabricante: IRFP460PBF. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. Polaridade: unipolar. Potência: 280W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Resistência no estado: 0.27 Ohms. RoHS: sim. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão da fonte de drenagem: 500V. Tensão de fonte de porta: ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:45

Documentação técnica (PDF)
IRFP460
39 parâmetros
Carcaça
TO-247
DI (T=100°C)
13A
DI (T=25°C)
20A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.27 Ohms
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247AC
Tensão Vds(máx.)
500V
C (pol.)
4200pF
Cobrar
210nC
Condicionamento
tubus
Corrente de drenagem
20A, 13A
Custo)
870pF
Diodo Trr (mín.)
570 ns
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
25uA
Id(im)
80A
Marcação do fabricante
IRFP460PBF
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
280W
Polaridade
unipolar
Potência
280W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Resistência no estado
0.27 Ohms
RoHS
sim
Td(desligado)
110 ns
Td(ligado)
18 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão da fonte de drenagem
500V
Tensão de fonte de porta
±20V
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier

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