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Toshiba

Transistor de canal N 2SK1213, 8A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 600V

Referência do produto : 2SK1213
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Descrição técnica do produto (2SK1213):

Tensão Vds(máx.): 600V. Idss (máx.): 300uA. DI (T=25°C): 8A. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Número de terminais: 3. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Tecnologia: V-MOS-L. Proteção GS: não. Td(desligado): 85 ns. Td(ligado): 40 ns. Quantidade por caixa: 1. Id(im): 24A. Vgs(th) mín.: 1.5V. C (pol.): 1400pF. Custo): 250pF. Diodo Trr (mín.): 460 ns. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Tensão porta/fonte Vgs: 20V