Transistor de canal N 2SK1213, 8A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 600V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 300uA. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1400pF. Custo): 250pF. Diodo Trr (mín.): 460 ns. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 24A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 85 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: V-MOS-L. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1.5V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 14/11/2025, 01:03