Transistor de canal N 2N7000, TO-92, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, O-92Ammo-Pack, 60V

Transistor de canal N 2N7000, TO-92, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, O-92Ammo-Pack, 60V

Quantidade
Preço unitário
5-49
0.11€
50-99
0.0932€
100-299
0.0838€
300+
0.0716€
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Mín.: 5

Transistor de canal N 2N7000, TO-92, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, O-92Ammo-Pack, 60V. Carcaça: TO-92. DI (T=25°C): 0.2A. Idss (máx.): 1000uA. On-resistência Rds On: 5 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): O-92Ammo-Pack. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 60pF. Corrente de drenagem: 0.2A. Custo): 25pF. Embalagem: Ammo Pack. IDss (min): 1uA. Id(im): 0.5A. Marcação do fabricante: 2n7000. Marcação na caixa: 2n7000. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Peso: 0.18g. Polaridade: unipolar. Potência: 0.35W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Resistência no estado: 6 Ohms. RoHS: sim. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 10 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão da fonte de drenagem: 60V. Tensão de fonte de porta: ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Produto original do fabricante: Diotec Semiconductor. Quantidade mínima: 5. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:31

Documentação técnica (PDF)
2N7000
37 parâmetros
Carcaça
TO-92
DI (T=25°C)
0.2A
Idss (máx.)
1000uA
On-resistência Rds On
5 Ohms
Habitação (conforme ficha técnica)
O-92Ammo-Pack
Tensão Vds(máx.)
60V
C (pol.)
60pF
Corrente de drenagem
0.2A
Custo)
25pF
Embalagem
Ammo Pack
IDss (min)
1uA
Id(im)
0.5A
Marcação do fabricante
2n7000
Marcação na caixa
2n7000
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.35W
Peso
0.18g
Polaridade
unipolar
Potência
0.35W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Resistência no estado
6 Ohms
RoHS
sim
Td(desligado)
10 ns
Td(ligado)
10 ns
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão da fonte de drenagem
60V
Tensão de fonte de porta
±20V
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
3V
Vgs(th) mín.
0.8V
Produto original do fabricante
Diotec Semiconductor
Quantidade mínima
5

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