Transistor de canal N 2N7002, SOT-23 ( TO-236 ), 60V, 60V, 0.075A, 0.115A, 500uA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 60V. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Vdss (dreno para tensão da fonte): 60V. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. DI (T=100°C): 0.075A. DI (T=25°C): 0.115A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 7.5 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 60V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 20 ns. C (pol.): 50pF. Capacitância Ciss Gate [pF]: 50pF. Características: -. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 7 Ohms @ 0.05A. Custo): 25pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Função: Transistor MOSFET de pequeno sinal. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 0.280A. IDss (min): 1uA. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 0.28A. Id(im): 0.8A. Informação: -. MSL: 1. Marcação do fabricante: 72. Marcação na caixa: 702. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Polaridade: MOSFET N. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. QG (carga total do portão, max @ vgs): -. Quantidade por caixa: 1. Rds em (max) @ id, vgs: 5 Ohms / 500mA / 10V. RoHS: sim. Spec info: 702. Série: -. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tensão porta/fonte Vgs max: -30V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de montagem: SMD. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:31