Transistor de canal N 2SK1120, TO-3PN ( 2-16C1B ), 1 kV, 8A, 300uA, 1.5 Ohms, 2-16C1B, 1000V. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 1 kV. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 300uA. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1B. Tensão Vds(máx.): 1000V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 100 ns. C (pol.): 1300pF. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1300pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 4A. Custo): 180pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Função: Transistor N MOSFET. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 8A. Id(im): 24A. Marcação do fabricante: K1120. Marcação na caixa: K1120. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Peso: 4.6g. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Aplicação de conversor DC-DC e acionamento de motor. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: Silicon N Channel Mos. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 40 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 3.5V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1.5V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:26