Transistores FET e MOSFET

Transistor de canal P, soldagem PCB, TO-92, JFET, -20V, TO-92, 20V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): JFET. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -20V. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 20V. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor JFET de canal P. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N3820. Corrente de drenagem Idss [A] @ Ug=0V: -15mA. Tensão de ponto de interrupção da porta-fonte Ugss [V] @ Uds=0V: +8V @ -10V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 8V

Transistor de canal P, 6mA, 6mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18. DI (T=25°C): 6mA. Idss (máx.): 6mA. Carcaça: TO-18 ( TO-206 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-18. Quantidade por caixa: 1. Função: P-FET S. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Transistor de canal P, soldagem PCB, TO-3P, -160V, -8A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3P. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -160V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: J119. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 90 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1050pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 100W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 200V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 800pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. Proteção GS: sim. Id(im): 20A. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS (F). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 100uA. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 250V. C (pol.): 1040pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: SWITCHING, POWER MOS FET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 24A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 0.55 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 47 ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: P-CHANNEL POWER MOS FET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 4 v

Transistor de canal P, 5A, 5A, TO-220FP, TO-220FP, 250V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 250V. C (pol.): 800pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 205 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de aprimoramento com baixa fonte de drenagem na resistência . Proteção GS: sim. Id(im): 20A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: Silicon P Chanel Mos Fet. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V

Transistor de canal P, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 100uA. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 250V. C (pol.): 450pF. Custo): 120pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. Proteção GS: sim. Id(im): 18A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 52 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de silício. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v

Transistor de canal P, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 12A. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 720pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: diodo de proteção integrado. Proteção GS: sim. Id(im): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 23W. On-resistência Rds On: 0.13 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo MOS de canal P. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V

Transistor de canal P, 500mA, 500mA, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=25°C): 500mA. Idss (máx.): 500mA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 120pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: FET. Função: transistor complementar (par) 2SK216. Proteção GS: sim. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 15V

Transistor de canal P, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10mA. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 500pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUDIO POWER MOSFET. Proteção GS: NINCS. IDss (min): 10mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) ALF08N20V. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 100 ns. Tensão porta/fonte Vgs: 14V

Transistor de canal P, 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 5uA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 933pF. Custo): 108pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 21 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Baixa carga de entrada. Proteção GS: NINCS. Id(im): 25A. DI (T=100°C): 3.8A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.4W. On-resistência Rds On: 0.036 Ohms. RoHS: sim. Spec info: Tensão da porta de operação tão baixa quanto 2,5V. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 42 ns. Td(ligado): 5.2 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 12V. Vgs(th) máx.: 1.3V. Vgs(th) mín.: 0.6V

Transistor de canal P, 9.2A, 50uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 50uA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 2060pF. Custo): 370pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 60A. DI (T=100°C): 7.4A. IDss (min): 10uA. Nota: serigrafia/código SMD 4407A. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.7W. On-resistência Rds On: 0.0085 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 24 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1.7V

Transistor de canal P, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 12.5A. Idss (máx.): 5uA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 2330pF. Custo): 480pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 28 ns. Tipo de transistor: FET. Função: Aplicativos de comutação ou PWM. Proteção GS: sim. Id(im): 60A. DI (T=100°C): 10.5A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. On-resistência Rds On: 0.0094 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 49.5 ns. Td(ligado): 12.8 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1.7V

Transistor de canal P, SO, SO-8. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tipo de canal: N-P. Quantidade por caixa: 2. Função: 0.032R&0.048R (32 & 48m Ohms). Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: MOS-N&P-FET, Complementary ESD rating--3000V (HBM)

Transistor de canal P, 85A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=25°C): 85A. Idss (máx.): 5uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 4360pF. Custo): 1050pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 2500. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 39.5 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 200A. DI (T=100°C): 65A. IDss (min): 0.01uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. On-resistência Rds On: 5.1M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 51 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V

Transistor de canal P, 18A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 5uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 920pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 2500. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 21.4 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 40A. DI (T=100°C): 18A. IDss (min): 0.003uA. Marcação na caixa: D405. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. On-resistência Rds On: 24.5m Ohms. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) AOD408. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.2V

Transistor de canal P, 26A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 26A. Idss (máx.): 5uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 2977pF. Custo): 241pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 2500. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 60A. DI (T=100°C): 18A. IDss (min): 0.003uA. Marcação na caixa: D409. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. On-resistência Rds On: 32m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.4V. Vgs(th) mín.: 1.2V

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), DFN8, -30V, -36A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: DFN8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -36A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: 7401. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.017 Ohms @ -7A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2.2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 24 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2060pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 24A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 35V. DI (T=25°C): 24A. Idss (máx.): 25uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 35V. C (pol.): 990pF. Custo): 220pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: comutação rápida, conversor DC/DC. Proteção GS: NINCS. Id(im): 80A. DI (T=100°C): 15A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 31.25W. On-resistência Rds On: 0.036 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Modo de aprimoramento Power MOSFET . Temperatura operacional: -55°C...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal P, 17A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 1440pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 43 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 60A. DI (T=100°C): 11A. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. On-resistência Rds On: 0.064 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: Modo de aprimoramento Power MOSFET . Temperatura operacional: -55°C...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal P, 10A, 250uA, TO-220, 60V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 60A. DI (T=100°C): 16A. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 31.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: Modo de aprimoramento Power MOSFET . Temperatura operacional: -55°C...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, -45V, -0.09A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -45V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.09A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MX. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 9 Ohms @ -0.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 10 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 25pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.33W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 0.23A, 500nA, TO-92, TO-92, 45V. DI (T=25°C): 0.23A. Idss (máx.): 500nA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 45V. C (pol.): 60pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 3A. IDss (min): -0.23A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.7W. On-resistência Rds On: 14 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, -60V, -1.9A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.9A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BSP171P. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ -1.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 276 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 460pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, -30V, -3A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BSP250.115. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2.8V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 80 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 140 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 250pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.65W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C