Transistor de canal P AOD409, D-PAK ( TO-252 ), 26A, 5uA, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Transistor de canal P AOD409, D-PAK ( TO-252 ), 26A, 5uA, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

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1-4
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Transistor de canal P AOD409, D-PAK ( TO-252 ), 26A, 5uA, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). DI (T=25°C): 26A. Idss (máx.): 5uA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 60V. : aprimorado. C (pol.): 2977pF. Cobrar: 22.2nC. Condicionamento: rolo. Corrente de drenagem: -18A. Custo): 241pF. DI (T=100°C): 18A. Diodo Trr (mín.): 40 ns. IDss (min): 0.003uA. Id(im): 60A. Marcação na caixa: D409. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. On-resistência Rds On: 32m Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Potência: 30W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão da fonte de drenagem: -60V. Tensão de fonte de porta: ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 2500. Vgs(th) máx.: 2.4V. Vgs(th) mín.: 1.2V. Produto original do fabricante: Alpha & Omega Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:25

Documentação técnica (PDF)
AOD409
38 parâmetros
Carcaça
D-PAK ( TO-252 )
DI (T=25°C)
26A
Idss (máx.)
5uA
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Tensão Vds(máx.)
60V
aprimorado
C (pol.)
2977pF
Cobrar
22.2nC
Condicionamento
rolo
Corrente de drenagem
-18A
Custo)
241pF
DI (T=100°C)
18A
Diodo Trr (mín.)
40 ns
IDss (min)
0.003uA
Id(im)
60A
Marcação na caixa
D409
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
2
On-resistência Rds On
32m Ohms
Pd (dissipação de energia, máx.)
60W
Potência
30W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
38 ns
Td(ligado)
12 ns
Tecnologia
Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão da fonte de drenagem
-60V
Tensão de fonte de porta
±20V
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
2500
Vgs(th) máx.
2.4V
Vgs(th) mín.
1.2V
Produto original do fabricante
Alpha & Omega Semiconductors