Transistor de canal P 2SJ584, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V

Transistor de canal P 2SJ584, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.86€
5-24
1.54€
25-49
1.30€
50+
1.17€
Quantidade em estoque: 101

Transistor de canal P 2SJ584, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 100uA. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 250V. C (pol.): 450pF. Custo): 120pF. Função: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. Id(im): 18A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 52 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de silício. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Sanyo. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:26

Documentação técnica (PDF)
2SJ584
24 parâmetros
DI (T=25°C)
4.5A
Idss (máx.)
100uA
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220FP
Tensão Vds(máx.)
250V
C (pol.)
450pF
Custo)
120pF
Função
Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us
Id(im)
18A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
On-resistência Rds On
0.95 Ohms
Pd (dissipação de energia, máx.)
25W
Proteção GS
sim
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
Td(desligado)
52 ns
Td(ligado)
30 ns
Tecnologia
transistor MOSFET de silício
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Produto original do fabricante
Sanyo