Transistor de canal P 2SJ512, 5A, 5A, TO-220FP, TO-220FP, 250V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 250V. C (pol.): 800pF. Custo): 250pF. Diodo Trr (mín.): 205 ns. Função: Modo de aprimoramento com baixa fonte de drenagem na resistência. Id(im): 20A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: Silicon P Chanel Mos Fet. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:26