Transistor de canal P AO3401A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Transistor de canal P AO3401A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

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Transistor de canal P AO3401A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 5uA. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. : aprimorado. C (pol.): 933pF. Cobrar: 7nC. Corrente de drenagem: -4A. Custo): 108pF. DI (T=100°C): 3.8A. Diodo Trr (mín.): 21 ns. Função: Baixa carga de entrada. IDss (min): 1uA. Id(im): 25A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.036 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.4W. Polaridade: unipolar. Potência: 1.4W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Tensão da porta de operação tão baixa quanto 2,5V. Td(desligado): 42 ns. Td(ligado): 5.2 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento. Temperatura operacional: -55...+150°C. Temperatura: +150°C. Tensão da fonte de drenagem: -30V. Tensão de fonte de porta: ±12V. Tensão porta/fonte Vgs: 12V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 1.3V. Vgs(th) mín.: 0.6V. Produto original do fabricante: Alpha & Omega Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:52

Documentação técnica (PDF)
AO3401A
39 parâmetros
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
DI (T=25°C)
4.3A
Idss (máx.)
5uA
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensão Vds(máx.)
30 v
aprimorado
C (pol.)
933pF
Cobrar
7nC
Corrente de drenagem
-4A
Custo)
108pF
DI (T=100°C)
3.8A
Diodo Trr (mín.)
21 ns
Função
Baixa carga de entrada
IDss (min)
1uA
Id(im)
25A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
3
On-resistência Rds On
0.036 Ohms
Pd (dissipação de energia, máx.)
1.4W
Polaridade
unipolar
Potência
1.4W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Tensão da porta de operação tão baixa quanto 2,5V
Td(desligado)
42 ns
Td(ligado)
5.2 ns
Tecnologia
Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento
Temperatura operacional
-55...+150°C
Temperatura
+150°C
Tensão da fonte de drenagem
-30V
Tensão de fonte de porta
±12V
Tensão porta/fonte Vgs
12V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
1.3V
Vgs(th) mín.
0.6V
Produto original do fabricante
Alpha & Omega Semiconductors