Transistor de canal P AO4407A, SO, 9.2A, 50uA, SO-8, 30 v
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Transistor de canal P AO4407A, SO, 9.2A, 50uA, SO-8, 30 v. Carcaça: SO. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 50uA. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 2060pF. Cobrar: 30nC. Corrente de drenagem: -12A, -10A. Custo): 370pF. DI (T=100°C): 7.4A. Diodo Trr (mín.): 30 ns. IDss (min): 10uA. Id(im): 60A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Nota: serigrafia/código SMD 4407A. Número de saídas: 1. Número de terminais: 8:1. On-resistência Rds On: 0.0085 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.7W. Polaridade: unipolar. Potência: 2W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 24 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão da fonte de drenagem: -30V. Tensão de fonte de porta: ±25V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1.7V. Produto original do fabricante: Alpha & Omega Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:52