Transistor de canal P 2SJ449, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V

Transistor de canal P 2SJ449, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.50€
5-9
2.08€
10-24
1.88€
25-49
1.73€
50+
1.56€
Quantidade em estoque: 3

Transistor de canal P 2SJ449, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 100uA. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 250V. C (pol.): 1040pF. Custo): 360pF. Função: SWITCHING, POWER MOS FET. IDss (min): -. Id(im): 24A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.55 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 47 ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: P-CHANNEL POWER MOS FET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 4 v. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Nec. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:26

Documentação técnica (PDF)
2SJ449
25 parâmetros
DI (T=25°C)
6A
Idss (máx.)
100uA
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220FP
Tensão Vds(máx.)
250V
C (pol.)
1040pF
Custo)
360pF
Função
SWITCHING, POWER MOS FET
Id(im)
24A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
On-resistência Rds On
0.55 Ohms
Pd (dissipação de energia, máx.)
35W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Td(desligado)
47 ns
Td(ligado)
24 ns
Tecnologia
P-CHANNEL POWER MOS FET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte (desligada) mín.
4 v
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Produto original do fabricante
Nec