Transistor de canal P AO4427, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 12.5A. Idss (máx.): 5uA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 2330pF. Custo): 480pF. DI (T=100°C): 10.5A. Diodo Trr (mín.): 28 ns. Função: Aplicativos de comutação ou PWM. IDss (min): 1uA. Id(im): 60A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. On-resistência Rds On: 0.0094 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 49.5 ns. Td(ligado): 12.8 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: FET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1.7V. Produto original do fabricante: Alpha & Omega Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:52