Transistor de canal P 2SJ598, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 12A. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 720pF. Custo): 150pF. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Função: diodo de proteção integrado. Id(im): 30A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.13 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 23W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo MOS de canal P. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Nec. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:26