Transistores IGBT

Transistor IGBT. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-218. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUP313. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 1.2 kV. Corrente do coletor Ic [A]: 32A. Corrente máxima do coletor (A): 64A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 100 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 530 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6.5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. Tipo de transistor: Transistor IGBT. Tensão coletor-emissor: 1200V. Corrente do coletor: 25A. Carcaça: TO-3P

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3PN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FGA40N65SMD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 650V. Corrente do coletor Ic [A]: 40A. Corrente máxima do coletor (A): 60.4k Ohms. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 120ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 174W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 20 ns. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264-3L. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.9V...3.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 25V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 7.5V. C (pol.): 3200pF. Custo): 370pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Função: UPS, controles de motores CA/CC e inversores de uso geral. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 64A. Ic(pulso): 160A. Ic(T=100°C): 40A. Marcação na caixa: FGL40N120AND. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 500W. Spec info: NPT-Trench IGBT

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 20N60A4. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 70A. Corrente máxima do coletor (A): 280A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 73 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 7V. Dissipação máxima Ptot [W]: 290W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 7V. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Função: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 70A. Ic(pulso): 280A. Ic(T=100°C): 40A. Marcação na caixa: 20N60A4D. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 290W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 73 ns. Td(ligado): 15 ns

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: HG20N60B3. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 40A. Corrente máxima do coletor (A): 160A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 25 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 220 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 165W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: G03H1202. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 1.2 kV. Corrente do coletor Ic [A]: 3A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 9.2 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 281 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3.9V. Dissipação máxima Ptot [W]: 62.5W. Corrente máxima do coletor (A): 9.9A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. Tipo de transistor: Transistor IGBT. Tensão da fonte de drenagem: 1200V. Corrente do coletor: 50A. Potência: 326W. Carcaça: TO-247AC

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: G60T120. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 1.2 kV. Corrente do coletor Ic [A]: 60A. Corrente máxima do coletor (A): 150A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 50 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 480 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6.5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 375W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. C (pol.): 1800pF. Custo): 55pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Função: Cozinha indutiva, fornos de microondas. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 60A. Ic(pulso): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Marcação na caixa: H30MR5. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. RoHS: sim. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 330 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO247-3. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.55V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.85V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.4V

Transistor IGBT. Tipo de transistor: Transistor IGBT. Tensão coletor-emissor: 600V. Corrente do coletor: 40A. Potência: 305W. Carcaça: TO-247AC

Transistor IGBT. Tipo de transistor: Transistor IGBT. Tensão coletor-emissor: 600V. Corrente do coletor: 24A. Potência: 110W. Carcaça: TO-220AB

Transistor IGBT. Tipo de transistor: Transistor IGBT. Tensão da fonte de drenagem: 1200V. Corrente do coletor: 50A. Potência: 326W. Carcaça: TO-247AC. Diodo embutido: sim

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: K25T1202. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 1.2 kV. Corrente do coletor Ic [A]: 25A. Corrente máxima do coletor (A): 100A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 27 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 265 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6.4V. Dissipação máxima Ptot [W]: 349W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor IGBT. Tipo de transistor: Transistor IGBT. Tensão coletor-emissor: 1200V. Corrente do coletor: 82A. Potência: 428W. Carcaça: TO-247AC. Diodo embutido: sim

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4BC20FD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 16A. Corrente máxima do coletor (A): 64A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 43 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 240 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4BC20KD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 16A. Corrente máxima do coletor (A): 32A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 54 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 180 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4BC20S. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 19A. Corrente máxima do coletor (A): 38A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 27 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 540 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4BC20S. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 10A. Corrente máxima do coletor (A): 38A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 27 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 540 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4BC20UD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 13A. Corrente máxima do coletor (A): 52A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 39 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 93 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4BC20U. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 13A. Corrente máxima do coletor (A): 52A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 21 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 86 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4BC30FD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 31A. Corrente máxima do coletor (A): 60.4k Ohms. Tempo de ativação ton [nseg.]: 42 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 230 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 100W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4BC30KD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 28A. Corrente máxima do coletor (A): 56A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 60 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 160 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 100W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4BC30S. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 34A. Corrente máxima do coletor (A): 68A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 22 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 540 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 100W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C