Transistor IGBT IKW25N120T2. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 265 ns. Carcaça (padrão JEDEC): -. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 25A. Dissipação máxima Ptot [W]: 349W. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado. IP de corrente de pico de coletor [A]: 100A. Marcação do fabricante: K25T1202. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +175°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 27 ns. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 1.2 kV. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6.4V. Produto original do fabricante: Infineon. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:39