Transistor IGBT IGW60T120

Transistor IGBT IGW60T120. Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: G60T120. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 1.2 kV. Corrente do coletor Ic [A]: 60A. Corrente máxima do coletor (A): 150A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 50 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 480 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6.5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 375W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): NINCS. Tensão de saturação VCE(sat): 1.9V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Produto original do fabricante Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 03:25.