Transistor IGBT IGW60T120. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 480 ns. C (pol.): 3700pF. Carcaça (padrão JEDEC): -. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 60A. Corrente do coletor: 100A. Custo): 180pF. Diodo CE: não. Diodo de germânio: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 375W. Família de componentes: Transistor IGBT. Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO-247-3. IP de corrente de pico de coletor [A]: 150A. Ic(T=100°C): 60A. Ic(pulso): 150A. Marcação do fabricante: G60T120. Marcação na caixa: G60T120. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 375W. RoHS: sim. Td(desligado): 480 ns. Td(ligado): 50 ns. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 50 ns. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 1.2 kV. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6.5V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.9V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.4V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:35