Transistor IGBT IKW25N120H3FKSA1

Quantidade

Preço unitário

1-1

13.61€

2-3

12.21€

4-5

11.13€

6-29

10.09€

30+

10.05€

Quantidade em estoque: 7

Transistor IGBT IKW25N120H3FKSA1. Carcaça: TO-247AC. Corrente do coletor: 50A. Diodo embutido: sim. Potência: 326W. Tensão da fonte de drenagem: 1200V. Tipo de transistor: Transistor IGBT. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 15:30

Documentação técnica (PDF)

IKW25N120H3FKSA1

7 parâmetros

Carcaça

TO-247AC

Corrente do coletor

50A

Diodo embutido

sim

Potência

326W

Tensão da fonte de drenagem

1200V

Tipo de transistor

Transistor IGBT

Produto original do fabricante

Infineon Technologies