Transistor IGBT IRG4BC20KDPBF
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Transistor IGBT IRG4BC20KDPBF. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 180 ns. C (pol.): 450pF. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Carcaça: TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 16A. Corrente do coletor: 16A. Custo): 61pF. Diodo CE: sim. Diodo Trr (mín.): 37 ns. Diodo de germânio: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado. Função: Classificação de curto-circuito, IGBT UltraFast. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220 ( AB ). IP de corrente de pico de coletor [A]: 32A. Ic(T=100°C): 9A. Ic(pulso): 32A. Marcação do fabricante: IRG4BC20KD. Marcação na caixa: G4BC20KD. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Td(desligado): 180 ns. Td(ligado): 54 ns. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 54 ns. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.27V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.8V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:35