Transistor IGBT IRG4BC20KDPBF

Transistor IGBT IRG4BC20KDPBF

Quantidade
Preço unitário
1-4
4.51€
5-24
3.99€
25-49
3.66€
50-99
3.39€
100+
3.02€
+42 peças adicionais disponíveis em stock remoto (entrega em 4 horas). Contacte-nos para saber preços e disponibilidade!
Produto obsoleto, será em breve removido do catálogo. Últimos artigos disponíveis
Quantidade em estoque: 5

Transistor IGBT IRG4BC20KDPBF. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 180 ns. C (pol.): 450pF. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Carcaça: TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 16A. Corrente do coletor: 16A. Custo): 61pF. Diodo CE: sim. Diodo Trr (mín.): 37 ns. Diodo de germânio: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado. Função: Classificação de curto-circuito, IGBT UltraFast. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220 ( AB ). IP de corrente de pico de coletor [A]: 32A. Ic(T=100°C): 9A. Ic(pulso): 32A. Marcação do fabricante: IRG4BC20KD. Marcação na caixa: G4BC20KD. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Td(desligado): 180 ns. Td(ligado): 54 ns. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 54 ns. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.27V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.8V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:35

Documentação técnica (PDF)
IRG4BC20KDPBF
40 parâmetros
Atraso de desligamento tf[nsec.]
180 ns
C (pol.)
450pF
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-220AB
Carcaça
TO-220
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente do coletor Ic [A]
16A
Corrente do coletor
16A
Custo)
61pF
Diodo CE
sim
Diodo Trr (mín.)
37 ns
Diodo de germânio
não
Dissipação máxima Ptot [W]
60W
Família de componentes
Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado
Função
Classificação de curto-circuito, IGBT UltraFast
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220 ( AB )
IP de corrente de pico de coletor [A]
32A
Ic(T=100°C)
9A
Ic(pulso)
32A
Marcação do fabricante
IRG4BC20KD
Marcação na caixa
G4BC20KD
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
100W
RoHS
sim
Td(desligado)
180 ns
Td(ligado)
54 ns
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tempo de ativação ton [nseg.]
54 ns
Tensão coletor-emissor Uce [V]
600V
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
6V
Tensão de saturação VCE(sat)
2.27V
Tensão do coletor/emissor Vceo
600V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
2.8V
Tensão porta/emissor VGE(th) min.
3V
Tensão porta/emissor VGE(th)máx.
6V
Tensão porta/emissor VGE
20V
Tipo de canal
N
Produto original do fabricante
International Rectifier