Transistor IGBT IRG4BC20KDPBF

Transistor IGBT IRG4BC20KDPBF. Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4BC20KD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 16A. Corrente máxima do coletor (A): 32A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 54 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 180 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Td(desligado): 180 ns. Td(ligado): 54 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220 ( AB ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.27V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Produto original do fabricante International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 03:25.