Transistor IGBT IHW30N120R5XKSA1

Transistor IGBT IHW30N120R5XKSA1. Transistor IGBT. C (pol.): 1800pF. Custo): 55pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Função: Cozinha indutiva, fornos de microondas. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 60A. Ic(pulso): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Marcação na caixa: H30MR5. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. RoHS: sim. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 330 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO247-3. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.55V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.85V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.4V. Produto original do fabricante Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 04:25.