Transistor IGBT IHW30N120R5XKSA1. C (pol.): 1800pF. Carcaça: TO-247. Condicionamento: tubo de plástico. Corrente do coletor: 60A. Custo): 55pF. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: não. Função: Cozinha indutiva, fornos de microondas. Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO247-3. Ic(T=100°C): 30A. Ic(pulso): 90A. Marcação na caixa: H30MR5. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. RoHS: sim. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Td(desligado): 330 ns. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.55V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.85V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.4V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Unidade de condicionamento: 30. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:35