Transistor IGBT HGTG20N60B3

Transistor IGBT HGTG20N60B3. Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: HG20N60B3. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 40A. Corrente máxima do coletor (A): 160A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 25 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 220 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 165W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Produto original do fabricante Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 01/08/2025, 10:25.