Transistor IGBT HGTG20N60B3
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Transistor IGBT HGTG20N60B3. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 220 ns. Carcaça (padrão JEDEC): -. Carcaça: TO-247. Condicionamento: tubo de plástico. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 40A. Corrente do coletor: 40A. Diodo CE: não. Diodo de germânio: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 165W. Família de componentes: Transistor IGBT. Função: UFS Series IGBT. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. IP de corrente de pico de coletor [A]: 160A. Ic(T=100°C): 20A. Ic(pulso): 160A. Marcação do fabricante: HG20N60B3. Marcação na caixa: HG20N60B3. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 165W. RoHS: sim. Spec info: Tempo de queda típico 140ns a 150°C. Td(desligado): 220 ns. Td(ligado): 25 ns. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 25 ns. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Unidade de condicionamento: 30. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:19