Transistor IGBT FGA40N65SMD-DIóDA. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 120ns. Carcaça (padrão JEDEC): -. Carcaça: TO-3PN. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 40A. Dissipação máxima Ptot [W]: 174W. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado. IP de corrente de pico de coletor [A]: 60.4k Ohms. Marcação do fabricante: FGA40N65SMD. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +175°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 650V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Produto original do fabricante: Onsemi. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:39