Transistor IGBT FGL40N120ANDTU

Transistor IGBT FGL40N120ANDTU. Transistor IGBT. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 20 ns. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264-3L. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.9V...3.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 25V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 7.5V. C (pol.): 3200pF. Custo): 370pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Função: UPS, controles de motores CA/CC e inversores de uso geral. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 64A. Ic(pulso): 160A. Ic(T=100°C): 40A. Marcação na caixa: FGL40N120AND. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 500W. Spec info: NPT-Trench IGBT. Produto original do fabricante ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 26/07/2025, 21:25.