Transistor IGBT FGL40N120ANDTU. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 110 ns. C (pol.): 3200pF. Carcaça (padrão JEDEC): -. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Condicionamento: tubo de plástico. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 40A. Corrente do coletor: 64A. Custo): 370pF. Diodo CE: sim. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Diodo de germânio: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 500W. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado. Função: UPS, controles de motores CA/CC e inversores de uso geral. Habitação (conforme ficha técnica): TO-264-3L. IP de corrente de pico de coletor [A]: 160A. Ic(T=100°C): 40A. Ic(pulso): 160A. Marcação do fabricante: FGL40N120AND. Marcação na caixa: FGL40N120AND. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 500W. RoHS: sim. Spec info: NPT-Trench IGBT. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 20 ns. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 1.2 kV. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5.5V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.9V...3.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 7.5V. Tensão porta/emissor VGE: 25V. Tipo de canal: N. Unidade de condicionamento: 25. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41