Transistor IGBT FGL40N120ANDTU

Transistor IGBT FGL40N120ANDTU. Transistor IGBT. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-264. Carcaça (padrão JEDEC): tubo de plástico. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FGL40N120AND. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 1.2 kV. Corrente do coletor Ic [A]: 40A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 110 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5.5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 500W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 20 ns. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264-3L. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.9V...3.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 25V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 7.5V. Corrente máxima do coletor (A): 160A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 19/04/2025, 16:25.