Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor IGBT HGTG20N60A4D

Transistor IGBT HGTG20N60A4D
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Transistor IGBT HGTG20N60A4D. Transistor IGBT. RoHS: sim. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 7V. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Função: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 70A. Ic(pulso): 280A. Ic(T=100°C): 40A. Marcação na caixa: 20N60A4D. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 290W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 73 ns. Td(ligado): 15 ns. Produto original do fabricante Onsemi. Quantidade em estoque atualizada em 26/07/2025, 16:25.

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Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Função: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 75A. Ic(pulso): 240A. Marcação na caixa: 30N60A4D. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 463W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 25 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 7V
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