Transistor IGBT HGTG20N60A4D. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 73 ns. Carcaça (padrão JEDEC): -. Carcaça: TO-247. Condicionamento: tubo de plástico. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 70A. Corrente do coletor: 70A. Diodo CE: sim. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Diodo de germânio: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 290W. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado. Função: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. IP de corrente de pico de coletor [A]: 280A. Ic(T=100°C): 40A. Ic(pulso): 280A. Marcação do fabricante: 20N60A4D. Marcação na caixa: 20N60A4D. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 290W. RoHS: sim. Td(desligado): 73 ns. Td(ligado): 15 ns. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 7V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 7V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Unidade de condicionamento: 30. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:19