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Módulos IGBT

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IGCM04G60HAXKMA1

IGCM04G60HAXKMA1

Módulo IGBT. Tipo de canal: N. Função: 6 x IGBT For Power Management. Corrente do coletor: 4A. Ic...
IGCM04G60HAXKMA1
Módulo IGBT. Tipo de canal: N. Função: 6 x IGBT For Power Management. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 8A. Nota: driver de motor CA trifásico. Frequência: 20kHz. Número de terminais: 24. Pd (dissipação de energia, máx.): 21.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 685 ns. Td(ligado): 605 ns. Tecnologia: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Temperatura operacional: -40...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.6V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Spec info: IC=4A TC=25°C, IC=2.5A TC=100°C. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS
IGCM04G60HAXKMA1
Módulo IGBT. Tipo de canal: N. Função: 6 x IGBT For Power Management. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 8A. Nota: driver de motor CA trifásico. Frequência: 20kHz. Número de terminais: 24. Pd (dissipação de energia, máx.): 21.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 685 ns. Td(ligado): 605 ns. Tecnologia: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Temperatura operacional: -40...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.6V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Spec info: IC=4A TC=25°C, IC=2.5A TC=100°C. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS
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Módulo IGBT. C (pol.): 1600pF. Custo): 260pF. Tipo de canal: N. Função: 3 CH. Corrente do coletor...
SKM40GD123D
Módulo IGBT. C (pol.): 1600pF. Custo): 260pF. Tipo de canal: N. Função: 3 CH. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 100A. Ic(T=100°C): 30A. Número de terminais: 17. Dimensões: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: sim. Peso: 170g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 400 ns. Td(ligado): 70 ns. Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): Outro. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Spec info: IFSM--350Ap (t=10ms). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS
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Módulo IGBT. C (pol.): 1600pF. Custo): 260pF. Tipo de canal: N. Função: 3 CH. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 100A. Ic(T=100°C): 30A. Número de terminais: 17. Dimensões: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: sim. Peso: 170g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 400 ns. Td(ligado): 70 ns. Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): Outro. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Spec info: IFSM--350Ap (t=10ms). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS
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