Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: GE. FT: 8 MHz. Função: S-L. Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 60. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V

Transistor NPN, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 40V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: Transistor de comutação. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 20. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 200 ns. Tf(min): 175 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V

Transistor NPN, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: Transistor de comutação. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 40. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-39, TO-39, 60V, 600mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-39. Carcaça (padrão JEDEC): TO-39. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N2905A. Frequência de corte ft [MHz]: 200 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.6W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor NPN, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: amplificador, transistor de comutação. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 75. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V

Transistor NPN, 0.6A, 40V. Corrente do coletor: 0.6A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: uso geral. Nota: >40. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-18, TO-18, 60V, 600mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 60V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-18. Carcaça (padrão JEDEC): TO-18. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. Carcaça: TO-18 ( TO-206 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-18. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N2907A. Frequência de corte ft [MHz]: 200 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C. Família de componentes: Transistor PNP . Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 400mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 100 ns. Tf(min): 30 ns. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: Amplificador VHF

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 60V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92Ammo-Pack. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. C (pol.): 30pF. Custo): 8pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: Hfe 100. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 75. Ic(pulso): 0.8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.5A, 25V. Corrente do coletor: 0.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: NF-S. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor: 100mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92Ammo-Pack. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. RoHS: sim. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-92. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Si-Epitaxial. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226AA, 40V, 200mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N3906. Frequência de corte ft [MHz]: 250 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39 ( TO-5 ), 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39 ( TO-5 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Custo): 20pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150...500 MHz. Função: S. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 75. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 350 ns. Tf(min): 100 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.15V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, TO-92, 0.6A, TO-92Ammo Pack, 40V. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor: 0.6A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92Ammo Pack. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. RoHS: sim. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): 30pF. Custo): 8.5pF. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 30. Ic(pulso): +150°C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 30 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.75V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. C (pol.): 30pF. Custo): 8.5pF. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 30. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 30 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, -50V, -50mA, TO-92. Tensão coletor-emissor VCEO: -50V. Corrente do coletor: -50mA. Carcaça: TO-92. Tipo de transistor: Transistor PNP . Polaridade: PNP. Frequência máxima: 40 MHz

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 50mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Custo): 4pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 250. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 3V. Função: pré-amplificador. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, TO-92, 150V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 160V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N5401. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP . Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Spec info: 2N5401

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 200V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. C (pol.): 75pF. Custo): 15pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 30. Número de terminais: 3. Temperatura: +200°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Vebo: 4 v. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 300V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. C (pol.): 75pF. Custo): 15pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: Comutação de alta velocidade e amplificador linear. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 30. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Corrente do coletor: 25A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 50A. Número de terminais: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2N5886

Transistor NPN, 7A, 60V. Corrente do coletor: 7A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Nota: hFE 20. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Spec info: TO-220AB

Transistor NPN, 2A, 225V. Corrente do coletor: 2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 225V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 275V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, TO-204AA, 100V, 20A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 20A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N6287G. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, 4A, TO-66, TO-66, 120V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-66. Habitação (conforme ficha técnica): TO-66. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 5 MHz. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 15. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 130V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 5 MHz. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 20. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.3V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2N6488