Transistor NPN 2N5401, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, 0.6A, TO-92, 150V

Transistor NPN 2N5401, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, 0.6A, TO-92, 150V

Quantidade
Preço unitário
10-49
0.0724€
50-99
0.0639€
100-199
0.0568€
200+
0.0472€
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Equivalência disponível
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Mín.: 10

Transistor NPN 2N5401, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, 0.6A, TO-92, 150V. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 160V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. Corrente do coletor: 0.6A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. BE diodo: não. Condicionamento: Ammo Pack. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 600mA. Custo): 6pF. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. FT: 100 MHz. Família de componentes: Transistor PNP. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Frequência: 400MHz. Ganhe hfe: 240. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 50. Marcação do fabricante: 2N5401. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Polaridade: bipolar. Potência: 0.625W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: 2N5401. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão (colecionador - emissor): 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Diotec Semiconductor. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:37

Documentação técnica (PDF)
2N5401
41 parâmetros
Carcaça
TO-92
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-226AA
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
160V
Corrente do coletor Ic [A], máx.
600mA
Corrente do coletor
0.6A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92
Tensão do coletor/emissor Vceo
150V
BE diodo
não
Condicionamento
Ammo Pack
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente do coletor Ic [A]
600mA
Custo)
6pF
Diodo CE
não
Dissipação máxima Ptot [W]
0.625W
FT
100 MHz
Família de componentes
Transistor PNP
Frequência de corte ft [MHz]
100 MHz
Frequência
400MHz
Ganhe hfe
240
Ganho máximo de hFE
240
Ganho mínimo de hFE
50
Marcação do fabricante
2N5401
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.625W
Polaridade
bipolar
Potência
0.625W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
2N5401
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão (colecionador - emissor)
150V
Tensão de saturação VCE(sat)
0.2V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
160V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Diotec Semiconductor
Quantidade mínima
10

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