Transistor NPN 2N3906, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V

Transistor NPN 2N3906, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V

Quantidade
Preço unitário
10-49
0.0441€
50-99
0.0384€
100-199
0.0341€
200+
0.0286€
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Mín.: 10

Transistor NPN 2N3906, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. Corrente do coletor: 100mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92Ammo-Pack. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: não. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 0.2A. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Embalagem: Ammo Pack. FT: 250 MHz. Família de componentes: Transistor PNP. Frequência de corte ft [MHz]: 250 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 200mA. Marcação do fabricante: 2N3906. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Polaridade: bipolar. Potência: 0.625W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Tecnologia: Transistor Planar Si-Epitaxial. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão (colecionador - emissor): 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Diodes Inc. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:37

Documentação técnica (PDF)
2N3906
38 parâmetros
Carcaça
TO-92
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
40V
Corrente do coletor Ic [A], máx.
200mA
Corrente do coletor
100mA
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92Ammo-Pack
Tensão do coletor/emissor Vceo
40V
BE diodo
não
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente do coletor Ic [A]
0.2A
Diodo CE
não
Dissipação máxima Ptot [W]
0.625W
Embalagem
Ammo Pack
FT
250 MHz
Família de componentes
Transistor PNP
Frequência de corte ft [MHz]
250 MHz
Ganho máximo de hFE
300
Ganho mínimo de hFE
100
Ic(pulso)
200mA
Marcação do fabricante
2N3906
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.625W
Polaridade
bipolar
Potência
0.625W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Tecnologia
Transistor Planar Si-Epitaxial
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão (colecionador - emissor)
40V
Tensão de saturação VCE(sat)
0.25V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
40V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Diodes Inc
Quantidade mínima
10