Transistor NPN 2N4403, TO-92, TO-226, 40V, 600mA, 0.6A, TO-92Ammo Pack, 40V

Transistor NPN 2N4403, TO-92, TO-226, 40V, 600mA, 0.6A, TO-92Ammo Pack, 40V

Quantidade
Preço unitário
10-49
0.0612€
50-99
0.0530€
100-199
0.0466€
200+
0.0390€
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Transistor NPN 2N4403, TO-92, TO-226, 40V, 600mA, 0.6A, TO-92Ammo Pack, 40V. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. Corrente do coletor: 0.6A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92Ammo Pack. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: não. C (pol.): 30pF. Condicionamento: Ammo Pack. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 600mA. Custo): 8.5pF. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. FT: 200 MHz. Família de componentes: Transistor PNP. Frequência de corte ft [MHz]: 200 MHz. Frequência: 200MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 30. Marcação do fabricante: 2N4403. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Polaridade: bipolar. Potência: 0.625W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão (colecionador - emissor): 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.75V. Tf(máx.): 30 ns. Tipo de transistor: PNP. Unidade de condicionamento: 2000. Vcbo: 40V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Diotec Semiconductor. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:37

Documentação técnica (PDF)
2N4403
43 parâmetros
Carcaça
TO-92
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-226
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
40V
Corrente do coletor Ic [A], máx.
600mA
Corrente do coletor
0.6A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92Ammo Pack
Tensão do coletor/emissor Vceo
40V
BE diodo
não
C (pol.)
30pF
Condicionamento
Ammo Pack
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente do coletor Ic [A]
600mA
Custo)
8.5pF
Diodo CE
não
Dissipação máxima Ptot [W]
0.625W
FT
200 MHz
Família de componentes
Transistor PNP
Frequência de corte ft [MHz]
200 MHz
Frequência
200MHz
Ganho máximo de hFE
300
Ganho mínimo de hFE
30
Marcação do fabricante
2N4403
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.625W
Polaridade
bipolar
Potência
0.625W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão (colecionador - emissor)
40V
Tensão de saturação VCE(sat)
0.4V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
0.75V
Tf(máx.)
30 ns
Tipo de transistor
PNP
Unidade de condicionamento
2000
Vcbo
40V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Diotec Semiconductor
Quantidade mínima
10

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