FQP44N10

FQP44N10. C (pol.): 1400pF. Custo): 425pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 98 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 174A. DI (T=100°C): 30.8A. DI (T=25°C): 43.5A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 146W. On-resistência Rds On: 0.03 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 05:25.