FQP50N06L

FQP50N06L. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQP50N06L. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 52.4A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 26.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 50 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 170 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1630pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 121W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 80 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: DMOS, QFET, LOGIC N-Ch. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 05:25.