Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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FQPF11N50CF

FQPF11N50CF
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FQPF11N50CF. C (pol.): 1515pF. Custo): 185pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 90 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 44A. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. On-resistência Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: QFET ® FRFET ® MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 43nC, Crss baixo 20pF. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 00:25.

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C (pol.): 1600pF. Custo): 800pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacitância efetiva extremamente baixa com classificação dv/dt extrema . Id(im): 33A. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 200uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 11N80C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 41W. On-resistência Rds On: 0.39 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP-3-1. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Pacote totalmente isolado (2500VAC/1 minuto). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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