Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
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1 - 1 | 6.07€ | 7.47€ |
2 - 2 | 5.77€ | 7.10€ |
3 - 4 | 5.47€ | 6.73€ |
5 - 9 | 5.16€ | 6.35€ |
Quantidade | U.P | |
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1 - 1 | 6.07€ | 7.47€ |
2 - 2 | 5.77€ | 7.10€ |
3 - 4 | 5.47€ | 6.73€ |
5 - 9 | 5.16€ | 6.35€ |
SPW11N80C3. C (pol.): 1600pF. Custo): 800pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt . Id(im): 33A. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 200uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 11N80C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 156W. On-resistência Rds On: 0.39 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 08:25.
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