FQPF3N80C

FQPF3N80C. C (pol.): 543pF. Custo): 54pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 642 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 12A. DI (T=100°C): 1.9A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 39W. On-resistência Rds On: 4 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 22.5 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 13nC, Crss baixo 5,5pF. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.