Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

SPP11N80C3

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SPP11N80C3. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 33A. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 11A. Pd (dissipação de energia, máx.): 156W. On-resistência Rds On: 0.39 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Cool Mos. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. Função: ID pulse 33A. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 08:25.

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C (pol.): 1600pF. Custo): 800pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacitância efetiva extremamente baixa com classificação dv/dt extrema . Id(im): 33A. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 200uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 11N80C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 41W. On-resistência Rds On: 0.39 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP-3-1. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Pacote totalmente isolado (2500VAC/1 minuto). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
SPA11N80C3
C (pol.): 1600pF. Custo): 800pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacitância efetiva extremamente baixa com classificação dv/dt extrema . Id(im): 33A. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 200uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 11N80C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 41W. On-resistência Rds On: 0.39 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP-3-1. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Pacote totalmente isolado (2500VAC/1 minuto). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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C (pol.): 1600pF. Custo): 800pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt . Id(im): 33A. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 200uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 11N80C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 156W. On-resistência Rds On: 0.39 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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