STP6NK60Z

STP6NK60Z. C (pol.): 905pF. Custo): 115pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 445 ns. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=100°C): 3.8A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P6NK60Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 104W. On-resistência Rds On: 1 Ohm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 47 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Quantidade por caixa: 1. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.