Transistores

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 301. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4 Ohms @ 0.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 301. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 8 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 9.5pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 303. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.68A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.44 Ohms @ 0.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 50pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 63pF. Custo): 34pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 1.5A. DI (T=100°C): 0.87 Ohms @ -0.5A. DI (T=25°C): 0.46A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 304. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. On-resistência Rds On: 1.22 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 25V. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.65V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Tensão da porta de operação tão baixa quanto 2,5V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de transistor: Transistor IGBT. Tensão coletor-emissor: 1200V. Corrente do coletor: 25A. Carcaça: TO-3P

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3PN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FGA40N65SMD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 650V. Corrente do coletor Ic [A]: 40A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 120ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 174W. Corrente máxima do coletor (A): 60.4k Ohms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 2915pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 47ms. Corrente do coletor: 60.4k Ohms. Ic(pulso): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Pd (dissipação de energia, máx.): 600W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 104 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: Field Stop IGBT . Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.9V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 650V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Função: Inversor Solar, UPS, Estação de Soldagem, PFC, Telecom, ESS . Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 940pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: N. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Marcação na caixa: FGB20N60SF. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 12 ns. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2-PAK. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4 v. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Número de terminais: 2. Função: inversor solar, UPS, máquina de solda, PFC. Nota: Transistor MOS IGBT de canal N. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 2110pF. Custo): 200pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 45 ns. Função: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Corrente do coletor: 80A. Ic(pulso): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 40A. Marcação na caixa: FGH40N60SFD. Pd (dissipação de energia, máx.): 290W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 115 ns. Td(ligado): 25 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.9V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4 v. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 30. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 1880pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Corrente do coletor: 80A. Ic(pulso): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 40A. Pd (dissipação de energia, máx.): 349W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 92 ns. Td(ligado): 12 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.9V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 30. Função: Inversor Solar, UPS, Estação de Soldagem, PFC, Telecom, ESS . Spec info: Ic 80A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 120A (pulsed). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 2110pF. Custo): 200pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 45 ns. Função: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Corrente do coletor: 80A. Ic(pulso): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 40A. Pd (dissipação de energia, máx.): 290W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 112 ns. Td(ligado): 24 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4 v. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 30. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 2820pF. Custo): 350pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 47 ns. Função: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Corrente do coletor: 60.4k Ohms. Ic(pulso): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Marcação na caixa: FGH60N60SFD. Pd (dissipação de energia, máx.): 378W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 134 ns. Td(ligado): 22 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.9V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4 v. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 30. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 2820pF. Custo): 350pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Função: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Corrente do coletor: 60.4k Ohms. Ic(pulso): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Marcação na caixa: FGH60N60SF. Pd (dissipação de energia, máx.): 378W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 134 ns. Td(ligado): 22 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.9V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4 v. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 30. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 2915pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Função: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Corrente do coletor: 60.4k Ohms. Ic(pulso): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Marcação na caixa: FGH60N60SMD. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 18 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.9V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 30. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-264. Carcaça (padrão JEDEC): tubo de plástico. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FGL40N120AND. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 1.2 kV. Corrente do coletor Ic [A]: 40A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 110 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5.5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 500W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 20 ns. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264-3L. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.9V...3.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 25V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 7.5V. Corrente máxima do coletor (A): 160A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Condicionamento: tubo de plástico. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Deflexão horizontal do display colorido de alta tensão . Ganho máximo de hFE: 8:1. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: J6810. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Nota: serigrafia . Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: J6810A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 0.2us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação de alta velocidade . Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Condicionamento: tubo de plástico. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Display colorido Hor Defl de alto V (com diodo amortecedor) . Ganho máximo de hFE: 8:1. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: J6810D. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Nota: serigrafado J6810. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo CE: sim

Condicionamento: tubo de plástico. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Deflexão horizontal do display colorido de alta tensão . Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: J6812. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Nota: serigrafado J6812 . Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo CE: sim

Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: HI-FI. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 80. Corrente do coletor: 17A. Marcação na caixa: J4315O. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -50...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) FJL4215-O

Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 20A. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: monitor de 19 polegadas. Spec info: VEBO 6V

Condicionamento: tubo de plástico. Material semicondutor: silício. Função: Deflexão horizontal do display colorido de alta tensão . Ganho máximo de hFE: 8.5. Ganho mínimo de hFE: 5.5. Corrente do coletor: 20A. Ic(pulso): 30A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 25

Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 300mA. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 10V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: SAMSUNG 0504-000117

Custo): 110pF. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: J13007. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.7us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 110pF. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 28. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: J13007-1. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.7us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 110pF. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 39. Ganho mínimo de hFE: 26. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: J13007-2. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.7us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS